SI4532ADY-T1,SI4532ADY-T1|VISHAY SILICONIX代理分销-SI4532ADYT1全新原装货

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SI4532ADY-T1-E3 库存编号:SI4532ADY-T1-E3DKR-ND Vishay Siliconix 询价查看资料	0 1起订 6-10天	1+	￥9.6 询价
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SI4532ADY-T1
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MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W

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MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V

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SI4532ADY-T1-GE3
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SI4532ADY-T1-E3
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4532ADY-T1-E3)

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Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4532ADY-T1-E3
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4532ADY-T1-E3
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DUAL N/P CHANNEL MOSFET, FULL REEL

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SI4532ADY-T1-E3
Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL, NP, SO-8

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SI4532ADY-T1-E3
Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL, NP, SO-8

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SI4532ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-E3 Dual N/P-channel MOSFETTransistor, 3 A, 3.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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SI4532ADY-T1-E3
Vishay Intertechnologies

Transistor: N/P-MOSFET, unipolar, 30/-30V, 3.9/-3.1A, 1.13/1.2W

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SI4532ADY-T1-E3
Vishay Intertechnologies

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
SI4532ADY-T1-E3	1470118	VISHAY 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.9 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V (EN)
SI4532ADY-T1-E3	2369276	VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道+P沟道, 30V, 4.9A, SOIC-8, 整卷 (EN)
SI4532ADY-T1-E3	1470118RL	VISHAY 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.9 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V (EN)

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产品描述 / 参考图片

制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532ADY-T1-E3, 3 A，3.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
SI4532ADY-T1-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
710-4720

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC 详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO 型号：SI4532ADY-T1-E3 仓库库存编号：SI4532ADY-T1-E3CT-ND 别名：SI4532ADY-T1-E3CT <br>	无铅
	Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC 详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 型号：SI4532ADY-T1-GE3 仓库库存编号：SI4532ADY-T1-GE3CT-ND 别名：SI4532ADY-T1-GE3CT <br>	无铅

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参考图片	制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号	PDF
	Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3 Dual N/P-channel MOSFETTransistor, 3 A, 3.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC 型号：SI4532ADY-T1-E3 仓库库存编号：70026111
	Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3 Dual N/P-channel MOSFETTransistor, 3 A, 3.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC 型号：SI4532ADY-T1-E3 仓库库存编号：70026111

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考
	SI4532ADY-T1 VISHAY SILICONIX	MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W 暂无PDF 查看详细
	SI4532ADY-T1-E Vishay	MOSFET，双，N/P沟道，30V，3.7A/3A，SO8 暂无PDF 查看详细
	SI4532ADY-T1-E3 VISHAY	N 和 P 沟道 30 V 0.053/0.08 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - SOIC-8 查看详细
	SI4532ADY-T1-GE3 VISHAY SILICONIX	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 查看详细

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考
	SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 查看详细
	SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 查看详细

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考
	SI4532ADY-T1-E3 VISHAY	N 和 P 沟道 30 V 0.053/0.08 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - SOIC-8 查看详细
	SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 查看详细
	SI4532ADY-T1-E Vishay	MOSFET，双，N/P沟道，30V，3.7A/3A，SO8 暂无PDF 查看详细
	SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 查看详细
	SI4532ADY-T1 VISHAY SILICONIX	MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W 暂无PDF 查看详细

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制造商型号： SI4532ADY-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

否

晶体管极性:

N and P-Channel

汲极/源极击穿电压:

30 V

闸/源击穿电压:

+/- 20 V

漏极连续电流:

4.9 A, 3.9 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

配置:

Dual

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOIC-8 Narrow

封装:

Reel

下降时间:

8 ns, 10 ns

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

2 W

上升时间:

10 ns, 9 ns

工厂包装数量:

2500

商标名:

TrenchFET

典型关闭延迟时间:

23 ns, 21 ns

询价