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| 型号/制造商 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Unidentified RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4532ADY-T1-GE3) RoHS: Not Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant 搜索 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant 搜索 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant 搜索 |
| SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| SI4532ADY-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC 详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 型号：SI4532ADY-T1-GE3 仓库库存编号：SI4532ADY-T1-GE3CT-ND 别名：SI4532ADY-T1-GE3CT <br> |  |
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
| 数据列表 | SI4532ADY |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.7A，3A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 53 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.13W，1.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |