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美国1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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| FQD20N06TM 库存编号:FQD20N06TMDKR-ND onsemi 购买 查看资料 | 1 1起订 6-10天 | 1+ | ￥16.2 |
| FQD20N06TM 库存编号:FQD20N06TMCT-ND onsemi 购买 查看资料 | 1 1起订 6-10天 | 1+ | ￥15.7 |
| FQD20N06TF 库存编号:FQD20N06TF-ND onsemi 询价 查看资料 | 0 2000起订 6-10天 | 2000+ 4000+ 6000+ 10000+ 14000+ | ￥4.82 ￥4.45 ￥4.82 ￥4.05 ￥4.05 |
| FQD20N06TM 库存编号:FQD20N06TMTR-ND onsemi 询价 查看资料 | 0 2000起订 6-10天 | ||
| FQD20N06 库存编号:4518-FQD20N06TR-ND UMW 询价 查看资料 | 0 2500起订 6-10天 | 2500+ 5000+ 7500+ 12500+ 17500+ | ￥3.76 ￥3.47 ￥3.76 ￥3.16 ￥3.12 |
新加坡3号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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美国1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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| 型号/制造商 |
| FQD20N06TM ON Semiconductor MOSFETs
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| 型号/制造商 |
| FQD20N06TM ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQD20N06TM) RoHS: Compliant 搜索 |
| FQD20N06TM ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD20N06TM) RoHS: Compliant 搜索 |
| FQD20N06TM ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD20N06TM) RoHS: Compliant 搜索 |
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| FQD20N06TM ON Semiconductor Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 10.6A, 38W, DPAK, QFET?
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自家仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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 | FQD20N06TF Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK  查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak 型号：FQD20N06TM 仓库库存编号：FQD20N06TMCT-ND 别名：FQD20N06TMCT <br> | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak 型号：FQD20N06TF 仓库库存编号：FQD20N06TF-ND | |
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| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号： FQD20N06TM 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 671-0980 |
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FQD20N06T
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，N沟道，60V，16.8A，DPAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，N沟道，60V，16.8A，DPAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11.5 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 450 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.1 x 2.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.063 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 16.8 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 2.3mm |
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