FQD20N06TM,FQD20N06TM|Fairchild Semiconductor代理分销-FQD20N06TM全新原装货

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MOSFET, N-CH, 60V, 16.8A, TO-252AA-3

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FQD20N06 Series 60 V 16.8 A 63 mOhm N-Ch N-Channel QFET? MOSFET - DPAK-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 10.6A, 38W, DPAK, QFET?

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak 型号：FQD20N06TM 仓库库存编号：FQD20N06TMCT-ND 别名：FQD20N06TMCT <br>	无铅

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
FQD20N06TM	2453896	ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V (EN)
FQD20N06TM	2453896RL	ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V (EN)

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产品描述 / 参考图片

制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD20N06TM, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
FQD20N06TM
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
671-0980

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	FQD20N06TM Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 暂无PDF 查看详细

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制造商型号： FQD20N06TM
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	FQD20N06, FQU20N06 D-PAK Tape and Reel Data
产品相片	TO-263
产品培训模块	High Voltage Switches for Power Processing
标准包装	2,500
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	QFET™
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	16.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	63 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	590pF @ 25V
功率 - 最大值	2.5W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装	TO-252-3
其它名称	FQD20N06TM-ND FQD20N06TMTR

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