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2SD2012(F,M) Toshiba America Electronic Components Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-220NIS MOQ=500 V=60 PD=25W F=1MHZ RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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2SD2012(F) Toshiba America Electronic Components
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安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.5mm | |
封装类型 | TO-220 | |
尺寸 | 8.1 x 10 x 4.5mm | |
引脚数目 | 3 | |
晶体管类型 | NPN | |
最大功率耗散 | 2000 mW | |
最大发射极-基极电压 | 7 V | |
最大直流集电极电流 | 3 A | |
最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V | |
最大集电极-基极电压 | 60 V | |
最小直流电流增益 | 20 V | |
最高工作温度 | +150 °C | |
最高工作频率 | 3 MHz | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 双极功率 | |
配置 | 单 | |
长度 | 10mm | |
高度 | 8.1mm |