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2SD2012(F,M) Toshiba America Electronic Components Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-220NIS MOQ=500 V=60 PD=25W F=1MHZ RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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数据列表 | 2SD2012 |
---|---|
产品相片 | TO-220AB |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 散装 |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,5V |
功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 3MHz |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220NIS |