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产品信息
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场效应管 MOSFET N型 SOT-23-6
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
5.4A
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漏源电压, Vds:
20V
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在电阻RDS(上):
40mohm
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电压 @ Rds测量:
4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1V
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功耗, Pd:
1.1W
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封装类型:
SOT-23
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针脚数:
6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封装/箱盒:
SOT-23
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时间, t off:
33.9ns
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时间, t on:
4.2ns
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时间, trr 典型值:
10.8ns
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栅极电荷 Qg N沟道:
14.5nC
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
4.5V
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电压, Vds 典型值:
20V
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电压, Vgs Rds N沟道:
4.5V
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电压, Vgs 最高:
8V
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电容值, Ciss 典型值:
1160pF
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电流, Idm 脉冲:
26A
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结温, Tj 最大值:
150°C
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表面安装器件:
SMD
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针脚配置:
G(3), D(1,2,5,6), S(4)
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阈值电压, Vgs th 最低:
0.4V
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阈值电压, Vgs th 最高:
1V
产地:
GB
United Kingdom
询价