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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： ZXMHC6A07T8T
制造商： Diodes/Zetex
描述： MOSFET，半桥，N/P沟道，60V，1.8A/1.5A，SM8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes/Zetex
描述： MOSFET，半桥，N/P沟道，60V，1.8A/1.5A，SM8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 13（P 通道）ns，4.9（N 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 1.6（P 通道）ns，1.8（N 通道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.65 nC @ 5 V（N 沟道），2.4 nC @ 5 V（P 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 166 pF @ 40 V（N 沟道），233 pF @ 30 V（P 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 封装类型 | SM8 | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.6mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1700 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.3（N 通道）Ω，0.425（P 通道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.5（P 通道）A，1.8（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 四 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.6mm |
询价