  |
  |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： TP0202K
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P SOT-23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P SOT-23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P SOT-23
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 350mA
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 1.4ohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -2V
- 功耗, Pd: 350mW
- 工??温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-23
- 针脚数: 3
- SMD标号: 2K
- 功耗, Pd: 350mW
- 功耗, Pd: 350mW
- 器件标记: TP0202K
- 封装/箱盒: SOT-23
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 总功率, Ptot: 350mW
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 350mA
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds: 30V
- 电压, Vds 典型值: -30V
- 电压, Vgs 最高: -20V
- 电流, Idm 脉冲: 750mA
- 表面安装器件: SMD
- 输出功率: 350mW
- 通态电阻 @ Vgs = 10V P沟道: 1.4ohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V P沟道: 3.5ohm
- 通态电阻最大值: 1.4ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: -1.3V
- 阈值电压, Vgs th 最高: -3V
询价