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TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba America Electronic Components MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK11A50D(STA4,Q,M)) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS 详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS 型号:TK11A50D(STA4,Q,M) 仓库库存编号:TK11A50D(STA4QM)-ND 别名:TK11A50D(STA4QM) <br>TK11A50DSTA4QM <br> | 无铅 |
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数据列表 | TK11A50D Mosfets Prod Guide |
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产品相片 | TK6A60W,S4VX |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 600 毫欧 @ 5.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 45W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
其它名称 | TK11A50D(STA4QM) TK11A50DSTA4QM |