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TJ80S04M3L(T6L1,NQ|Toshiba
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制造商型号: TJ80S04M3L(T6L1,NQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
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产品信息
数据列表 TJ80S04M3L
Mosfets Prod Guide
产品相片 TO-263
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.2 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)158nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)7770pF @ 10V
功率 - 最大值100W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK+
其它名称TJ80S04M3L(T6L1NQ
TJ80S04M3LT6L1NQ
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