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产品信息
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芯片 IGBT/MOSFET驱动器
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器件类型:
IGBT / MOSFET
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模块配置:
高压侧
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输出电流 峰值:
1A
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电源电压最小值:
9V
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电源电压最大值:
26V
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封装类型:
SOIC
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针脚数:
8
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输入延迟:
2μs
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输出延时:
550ns
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
125°C
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
500mW
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器件标号:
351
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封装/箱盒:
SO
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工作温度范围:
-40°C 至 +125°C
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电源电压范围:
9V 至 26V
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表面安装器件:
SMD
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输入/输出延迟:
2μs
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输出数:
1
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输出电压:
28.3V
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输出电压 最大:
28V
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输出电流, 最大:
1300mA
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输出端吸入电流:
1700mA
产地:
IT
Italy
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