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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SUR50N03-06P
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应??? MOSFET N D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应??? MOSFET N D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N D-PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 84A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 6.5mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 88W
- ??作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-252
- SMD标号: SUR50N03-06P
- 功耗, Pd: 88W
- 功耗, Pd: 88W
- 封装/箱盒: DPAK
- 封装类型, 其它: D-PAK
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 晶体管数: 1
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 84A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 电流, Idm 脉冲: 100A
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻 @ Vgs = 10V: 6.5mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 9.5mohm
- 阈值电压, Vgs th 最高: 3V
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