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产品信息
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场效应管 MOSFET N SOT-227
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
40A
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漏源电压, Vds:
600V
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在电阻RDS(上):
135mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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功耗, Pd:
460W
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封装类型:
SOT-227B
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
42ns
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下降时间:
26ns
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功耗, Pd:
460W
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功耗, Pd:
460W
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外宽:
25.4mm
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外部深度:
38mm
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外部长度/高度:
12.2mm
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安装孔中心距:
30.1mm
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封装/箱盒:
SOT-227B (ISOTOP)
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时间, t off:
41ns
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时间, t on:
49ns
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时间, trr 典型值:
685ns
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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电压变化率 dv/dt:
3V/ns
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电流, Idm 脉冲:
160A
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结温, Tj 最大值:
150°C
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通态电阻 @ Vgs = 10V:
135mohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
2V
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阈值电压, Vgs th 最高:
4V
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隔离电压:
2.5kV
询价