数据列表 | STD845DN40 |
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产品相片 | 8-DIP |
其它有关文件 | STD845DN40 View All Specifications |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 500mV @ 1A,4A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 250µA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 12 @ 2A,5V |
功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 8-DIP |
其它名称 | 497-10769-5 |