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STD4NK80Z-1|STMicroelectronics
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制造商型号: STD4NK80Z-1
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
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产品信息
数据列表 ST(D,P)4NK80Z(-1,FP)
产品相片 DPAK_369D?01
其它有关文件 STD4NK80Z-1 View All Specifications
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)22.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)575pF @ 25V
功率 - 最大值80W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装I-Pak
其它名称497-12560-5
STD4NK80Z-1-ND
STD4NK80Z1
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