型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
STB24N60M2 库存编号:497-13575-1-ND STMicroelectronics ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ | ¥46.47 ¥30.41 ¥21.29 ¥17.39 |
STB24N60M2 库存编号:497-13575-6-ND STMicroelectronics ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ | ¥46.47 ¥30.41 ¥21.29 ¥17.39 |
STB24N60M2 库存编号:497-13575-2-ND STMicroelectronics ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1000起订 6-10天 | 1000+ 2000+ | ¥16.14 ¥15.34 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
STB24N60M2 库存编号:511-STB24N60M2 STMicroelectronics ![]() ![]() 购买 | 2920 1起订 6-10天 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+ | ¥45.03 ¥29.43 ¥19.98 ¥16.43 ¥15.25 ¥14.54 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
STB24N60M2 库存编号:STB24N60M2 STMicroelectronics ![]() ![]() 询价 | 0 1000起订 1-2周 | 1000+ 2000+ 4000+ 6000+ 8000+ | ¥16.03 ¥15.93 ¥15.64 ¥15.35 ¥15.08 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
STB24N60M2 STMicroelectronics ![]() ![]() 购买 | 30 1起订 1-3周 | 1+ 3+ 12+ | ¥45.26 ¥41.64 ¥36.21 |
型号/制造商 |
STB24N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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STB24N60M2 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK 型号:STB24N60M2 仓库库存编号:497-13575-1-ND 别名:497-13575-1 <br> | 无铅 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号: STB24N60M2 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 783-3103 |
数据列表 | STx24N60M2 |
---|---|
其它有关文件 | STB24N60M2 View All Specifications |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | Mdmesh II Plus? |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 18A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 190 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1060pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 150W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | 497-13575-2 |