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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SSM6N39TU(TE85L,F
制造商： Toshiba
描述： MOSFET，双，N沟道，20V，1.6A，UF6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： MOSFET，双，N沟道，20V，1.6A，UF6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 11.5 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.3 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 260 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2mm | |
| 封装类型 | 2-2T1B | |
| 尺寸 | 1.7 x 2 x 0.7mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大功率耗散 | 0.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 247 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 高速开关、电源管理开关 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 高度 | 0.7mm |
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