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SQJ912EP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SQJ912EP-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:40 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:14 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8L
封装:Reel
下降时间:19 nS
栅极电荷 Qg:31.5 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:48 W
上升时间:21 nS
典型关闭延迟时间:33 nS
零件号别名:SQJ912EP-GE3
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