
| 数据列表 | SPP,SPI07N60S5 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 18/Nov/2011 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7.3A (Tc) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 600 毫欧 @ 4.6A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 350µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 970pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 83W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | SP000013025 SPI07N60S5-ND SPI07N60S5IN SPI07N60S5X SPI07N60S5XK |