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产品信息
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双IGBT模块 100A 1200V SPT
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晶体管极性:
N沟道
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集电极直流电流:
100A
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饱和电压, Vce sat 最大:
1.15V
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电压, Vceo:
1.2kV
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封装类型:
SEMITRANS 2
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
35ns
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下降时间:
65ns
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外宽:
94mm
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外部深度:
30.5mm
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外部长度/高度:
26mm
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安装孔中心距:
80mm
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封装/箱盒:
SEMITRANS 2
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工作温度范围:
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晶体管数:
2
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最大连续电流, Ic:
100A
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温度 @ 电流测量:
25°C
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电压, Vces:
1.2kV
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集电极电流, Ic 平均值:
100A
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集电极连续电流, Ic 最大值:
70A
产地:
DE
Germany
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