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产品信息
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驱动模块 MOSFET/IGBT
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器件类型:
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
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输出电流 峰值:
8A
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电源电压最小值:
14.4V
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电源电压最大值:
15.6V
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封装类型:
矩形
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针脚数:
34
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输入延迟:
1μs
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输出延时:
1μs
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
85°C
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封装/箱盒:
Rectangular
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工作温度范围:
-40°C 至 +85°C
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最大电流 @ 高电平输入:
0.29mA
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最高频率:
100kHz
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死区时间典型值:
4.3μs
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电压变化率 dv/dt:
50kV/μs
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电源电压:
18V
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电源电压范围:
14.4V 至 15.6V
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输入/输出延迟:
1μs
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输出数:
2
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输出电流:
8A
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输出电流 + 最大:
8A
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输出阻值:
3ohm
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隔离电压:
2500kV
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集电极-发射极最高电压 IGBT:
1700V
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高输入信号电压, 最大值:
18.3V
产地:
DE
Germany
询价