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SIF902EDZ-T1-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SIF902EDZ-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK
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产品信息
数据列表 SIF902EDZ
产品相片 Pkg 5933
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)22 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 2x5
供应商器件封装PowerPAK?(2x5)
其它名称SIF902EDZ-T1-E3TR
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