型号/制造商 |
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
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型号/制造商 |
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA462DJ-T1-GE3) RoHS: Not Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
SIA462DJ-T1-GE3 VISHAY SILICONIX ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Siliconix / Vishay SIA462DJ-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 30 V, 6-Pin SC-70 型号:SIA462DJ-T1-GE3 仓库库存编号:70616549 | ![]() |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L 详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单 型号:SIA462DJ-T1-GE3 仓库库存编号:SIA462DJ-T1-GE3CT-ND 别名:SIA462DJ-T1-GE3CT <br> | 无铅 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号: SIA462DJ-T1-GE3 品牌: Vishay 库存编号: 814-1222 |
数据列表 | SIA462DJ |
---|---|
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 12A (Ta), 12A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 18 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 570pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 3.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SC-70-6 |
供应商器件封装 | PowerPAK? SC-70-6 单 |
其它名称 | SIA462DJ-T1-GE3TR |