SI7434DP-T1-GE3,SI7434DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI7434DPT1GE3全新原装货

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MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7434DP-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7434DP-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
SI7434DP-T1-GE3	2132253	VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 3.8A, SOIC (EN)

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8 型号：SI7434DP-T1-GE3 仓库库存编号：SI7434DP-T1-GE3CT-ND 别名：SI7434DP-T1-GE3CT <br>	无铅

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	SI7434DP-T1-GE3 VISHAY SILICONIX	MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC 查看详细

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制造商型号： SI7434DP-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	Si7434DP
产品相片	PowerPAK SO-8 Pkg
标准包装	3,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	2.3A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	155 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	-
功率 - 最大值	1.9W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	PowerPAK? SO-8
供应商器件封装	PowerPAK? SO-8
产品目录页面	1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	SI7434DP-T1-GE3TR SI7434DPT1GE3

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