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产品信息
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场效应管 MOSFET P PowerPAK
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晶体管极性:
P沟道
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电流, Id 连续:
16A
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漏源电压, Vds:
12V
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在电阻RDS(上):
39mohm
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电压 @ Rds测量:
-1.8V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
-1V
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功耗, Pd:
17.8mW
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器件标号:
5479
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封装/箱盒:
PowerPAK
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晶体管类型:
沟
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栅极电荷 Qg P沟道:
21nC
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
1.8V
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电压, Vds 典型值:
-12V
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电流, Idm 脉冲:
20A
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表面安装器件:
SMD
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阈值电压, Vgs th 最低:
-0.4V
产地:
CN
China
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