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SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4431BDY-T1-GE3) RoHS: Not Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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SI4431BDY-T1-GE3 VISHAY SILICONIX ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO 型号:SI4431BDY-T1-GE3 仓库库存编号:SI4431BDY-T1-GE3-ND | 无铅 |
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SI4431BDY-T1-GE3![]() | 1868999 | VISHAY 场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W ![]() |
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数据列表 | SI4431BDY |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.7A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 30 毫欧 @ 7.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |