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制造商型号： SI3867DV-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 5.1A 1.1W
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:3.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:51 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-6
封装:Reel
下降时间:31 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.1 W
上升时间:31 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:32 ns
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