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SI3850DV-T1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SI3850DV-T1
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
MOSFET 20V 1.2/0.85A
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Vishay
RoHS:
否
晶体管极性:
N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:
+/- 20 V
闸/源击穿电压:
+/- 12 V
漏极连续电流:
1.2 A, 0.85 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
-
配置:
Dual
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSOP-6
封装:
Reel
下降时间:
20 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
1.25 W
上升时间:
20 ns
工厂包装数量:
3000
典型关闭延迟时间:
20 ns at N Channel, 10 ns at P Channel
询价
*所需产品:
型号: SI3850DV-T1 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: MOSFET 20V 1.2/0.85A
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
电脑版
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电话:
400-900-3095