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| 型号/制造商 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET
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| 型号/制造商 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin SOT-23 RoHS: Compliant 搜索 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin SOT-23 RoHS: Compliant 搜索 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin SOT-23 RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET, P-CH, 12V, SOT23
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| 型号/制造商 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Single P-Channel 12 V 0.028 O 35 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Single P-Channel 12 V 0.028 O 35 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free 搜索 |
| 型号/制造商 |
| SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 6A SOT23 详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 1.2W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236） 型号：SI2333DDS-T1-GE3 仓库库存编号：SI2333DDS-T1-GE3CT-ND 别名：SI2333DDS-T1-GE3CT <br> |  |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | |
 | Siliconix / Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 型号：SI2333DDS-T1-GE3 仓库库存编号：70459509 |  |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号： SI2333DDS-T1-GE3 品牌： Vishay 库存编号： 787-9222 | ||
| 制造商零件编号： SI2333DDS-T1-GE3 品牌： Vishay 库存编号： 919-4220 | ||
| 制造商零件编号： SI2333DDS-T1-GE3 品牌： Vishay 库存编号： 919-5914 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
SI2333DDS-T1-GE3 | 2283650 | VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mV (EN) |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | 场效应管 MOSFET P沟道 12V SOT23 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
| SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | 场效应管 MOSFET P沟道 12V SOT23 查看详细 |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 12V SOT23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
- 场效应管 MOSFET P沟道 12V SOT23
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: -6A
- 漏源电压, Vds: -12V
- 在电阻RDS（上）: 0.023ohm
- 电压 @ Rds测量: -4.5V
- 功耗, Pd: 1.7W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-23
- 针脚数: 3
- MSL: MSL 1 -无限制
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C