SI2316DS-T1,SI2316DS-T1|VISHAY SILICONIX代理分销-SI2316DST1全新原装货

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

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MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

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Vishay Siliconix

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SI2316DS-T1
Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 3.4A 0.7W

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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

MOSFETs

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2316DS-T1-GE3)

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 30 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236

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SI2316DS-T1-GE3
Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

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SI2316DS-T1-E3
Vishay Semiconductors

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SI2316DS-T1 VISHAY SILICONIX	查看库存、价格及货期

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）型号：SI2316DS-T1-E3 仓库库存编号：SI2316DS-T1-E3CT-ND 别名：SI2316DS-T1-E3CT <br>	无铅
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）型号：SI2316DS-T1-GE3 仓库库存编号：SI2316DS-T1-GE3-ND	无铅

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声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商型号： SI2316DS-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30V 3.4A 0.7W
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

符合

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

30 V

闸/源击穿电压:

+/- 20 V

漏极连续电流:

2.9 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

50 mOhms

配置:

Single

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TO-236-3

封装:

Reel

下降时间:

9 ns

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

700 mW

上升时间:

9 ns

工厂包装数量:

3000

典型关闭延迟时间:

14 ns

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