  |
  |
您现在的位置：首页 > SI1912EDH-T1-E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI1912EDH-T1-E
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，20V，1.13A，SC-70-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，20V，1.13A，SC-70-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 350 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 尺寸 | 2.05 x 1.25 x 0.9mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.28 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.13 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 高度 | 0.9mm |
询价