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SI1065X-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SI1065X-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
P 沟道 12 V 0.156 Ohm 0.236 W 表面贴装 Mosfet - SC-89
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
Channel Type:
P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
12 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.156 Ω
Qg Gate Charge:
10.8 nC
Rated Power Dissipation:
0.236 W
询价
*所需产品:
型号: SI1065X-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: P 沟道 12 V 0.156 Ohm 0.236 W 表面贴装 Mosfet - SC-89
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