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SI1031R-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SI1031R-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
场效应管 MOSFET ESD P沟道 20V 0.14A SC89
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET ESD P沟道 20V 0.14A SC89
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -140mA
漏源电压, Vds: -20V
在电阻RDS(上): 8ohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 900mV
功耗, Pd: 250mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SC-75A
针脚数: 3
功耗, Pd: 250mW
工作???度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: -140mA
电压, Vgs 最高: 6V
询价
*所需产品:
型号: SI1031R-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: 场效应管 MOSFET ESD P沟道 20V 0.14A SC89
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