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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： QS6J3TR
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P VGS -2.5V
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 1.5A
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 430mohm
- 电压 @ Rds测量: -4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -2V
- 功耗, Pd: 1.25W
- 封装类型: TSMT
- 针脚数: 6
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 上升时间: 12ns
- 下降时间: 20ns
- 功耗, Pd: 1.25W
- 功耗, Pd: 1.25W
- 封装/箱盒: TSMT6
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: -1.5A
- 漏源电压 Vds, P沟道: -20V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 2.5V
- 电压, Vds 典型值: -20V
- 电压, Vgs 最高: -12V
- 电容值, Ciss 典型值: 270pF
- 电流, Idm 脉冲: 6A
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, P沟道: -1.5A
- 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.155ohm
- 针脚配置: 1(S1),2(G1),3(D2),4(S2),5(G2),6(D1)
- 阈值电压, Vgs th 最低: -0.7V
- 阈值电压, Vgs th 最高: -2V
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