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PMWD30UN,518|NXP Semiconductors
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制造商型号: PMWD30UN,518
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP
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产品信息
数据列表 PMWD30UN
产品相片 8-TSSOP
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)33 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1478pF @ 10V
功率 - 最大值2.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-TSSOP
其它名称568-2364-2
934057599518
PMWD30UN /T3
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