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PMWD19UN|NXP
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制造商型号: PMWD19UN
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N TSSOP-8
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产品信息
  • 晶体管极性:双N通道
  • 电流, Id 连续: 5.6A
  • 电压, Vds 最大: 30V
  • 在电阻RDS(上): 23mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
  • 功耗, Pd: 2.3W
  • 封装类型: TSSOP
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
  • SMD标号: 19UN
  • 功率, Pd: 2.3W
  • 器件标号: 4
  • 封装类型: TSSOP
  • 晶体管数: 2
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 10V
  • 电容值, Ciss 典型值: 1478pF
  • 电流, Idm 脉冲: 20A
  • 表面安装器件: 表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V: 35mohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V: 23mohm
  • 针脚配置: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
产地: DE Germany
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