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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PMBFJ175215
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 30V 30mA SOT23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 30V 30mA SOT23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P沟道 30V 30mA SOT23
- 晶体管类型: 结型场效应晶体管（JFET）
- 击穿电压: 30V
- 零闸电压漏极电流, Idss 最小值: 7mA
- 零闸电压漏极电流, Idss 最大值: 70mA
- 栅极源极截断电压, Vgs 最大值: 6V
- 功耗, Pd: 300mW
- 工作温度最小值: -65°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-23
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 在电阻RDS（上）: 125ohm
- 封装/箱盒: SOT-23
- 工作温度范围: -65°C 至 +150°C
- 晶体管极性: P沟道
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 电流, Id 连续: 70mA
- 表面安装器件: SMD
- 零闸极电压漏极电流, Idss: 7mA 至 70mA
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