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制造商型号: PHC2300,11
制造商: NXP
描述: MOSFET,N/P沟道,300V,0.34A/0.235A,SOIC8
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs2.137 nC @ 10 V(P 沟道),6.24 nC @ 10 V(N 沟道)
典型输入电容值@Vds102 pF @ 50 V(N 沟道),45 pF @ 50 V(P 沟道)
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SO
尺寸5 x 4 x 1.45mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.8 W
最大栅源电压20 V
最大漏源电压300 V
最大漏源电阻值17(P 沟道)Ω,6(N 沟道)Ω
最大连续漏极电流0.235(P 沟道)A,0.34(N 沟道)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置双、双漏极
长度5mm
高度1.45mm
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