型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
NVD5862NT4G 库存编号:NVD5862NT4G onsemi ![]() ![]() 询价 | 0 1064起订 货期:需咨询 | 1064+ 1100+ 2200+ 5400+ 11000+ | ¥7.98 ¥7.86 ¥7.74 ¥7.62 ¥7.5 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
NVD5862NT4G onsemi ![]() ![]() 购买 | 7500 1起订 货期:1-2周 | 1+ 100+ 500+ 1000+ | ¥13.04 ¥10.46 ¥9.6 ¥9.1 |
型号/制造商 |
NVD5862NT4G ON Semiconductor MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
NVD5862NT4G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
NVD5862NT4G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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型号/制造商 |
NVD5862NT4G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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NVD5862NT4G ON Semiconductor MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, TO-252
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NVD5862NT4G ON Semiconductor ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
NVD5862NT4G![]() | 2724430 | ON SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 60 V, 0.0044 ohm, 10 V, 4 V ![]() |
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![]() | NVD5862NT4G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4![]() 查看详细 |
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![]() | ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta),98A(Tc) 4.1W(Ta),115W(Tc) DPAK-3 型号:NVD5862NT4G-VF01 仓库库存编号:NVD5862NT4G-VF01-ND 别名:NVD5802NT4G-VF01 <br>NVD5862NT4G <br>NVD5862NT4G-ND <br> | 无铅 |
数据列表 | NVD5862N |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 18A (Ta), 98A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.7 毫欧 @ 48A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 82nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6000pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 4.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |