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美国1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
美国3号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
| NVD5862NT4G 库存编号:NVD5862NT4G onsemi 询价 | 0 1064起订 货期：需咨询 | 1064+ 1100+ 2200+ 5400+ 11000+ | ￥7.98 ￥7.86 ￥7.74 ￥7.62 ￥7.5 |
香港1号仓库+5 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
| NVD5862NT4G onsemi 购买 | 7500 1起订 货期：1-2周 | 1+ 100+ 500+ 1000+ | ￥13.04 ￥10.46 ￥9.6 ￥9.1 |
参考价格及参考库存
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美国2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 |
| NVD5862NT4G ON Semiconductor MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM RoHS: Compliant 搜索 |
日本1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 |
| NVD5862NT4G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
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日本2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 |
| NVD5862NT4G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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日本3号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 |
| NVD5862NT4G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant 搜索 |
新加坡2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
| 型号/制造商 |
| NVD5862NT4G ON Semiconductor MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, TO-252
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自家仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
NVD5862NT4G | 2724430 | ON SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 60 V, 0.0044 ohm, 10 V, 4 V  (EN) |
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| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta），98A（Tc） 4.1W（Ta），115W（Tc） DPAK-3 型号：NVD5862NT4G-VF01 仓库库存编号：NVD5862NT4G-VF01-ND 别名：NVD5802NT4G-VF01 <br>NVD5862NT4G <br>NVD5862NT4G-ND <br> | |
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制造商型号： NVD5862NT4G
制造商： ON Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： ON Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | NVD5862N |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 18A （Ta）， 98A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.7 毫欧 @ 48A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 4.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
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