
| 数据列表 | NTLJS2103P |
|---|---|
| 产品相片 | 6-VDFN_506AN |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.5A (Ta) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 40 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1157pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |