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NSBC123EDXV6T1 ON Semiconductor
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NSBC123EDXV6T1 ON Semiconductor | 查看库存、价格及货期 |
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NSBC123EDXV6T1 ON Semiconductor | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 查看详细 | |
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ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 型号:NSBC123EDXV6T1 仓库库存编号:NSBC123EDXV6T1OS-ND 别名:NSBC123EDXV6T1OS | 含铅 | |
ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 型号:NSBC123EDXV6T1G 仓库库存编号:NSBC123EDXV6T1GOS-ND 别名:NSBC123EDXV6T1GOS | 无铅 |
数据列表 | NSBC114EDXV6Tx |
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产品相片 | SOT-563-6_463A |
产品变化通告 | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 2.2k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 2.2k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 8 @ 5mA,10V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NSBC123EDXV6T1OS |