
| 数据列表 | IXT(T,H)2N170D2 |
|---|---|
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1700V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6.5 欧姆 @ 1A,0V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 110nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3650pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 568W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
| 供应商器件封装 | TO-268 |