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制造商型号: IXFN36N10
制造商: IXYS
描述: MOSFET,N沟道,1kV,36A,SOT227B
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间110 ns
典型接通延迟时间41 ns
典型栅极电荷@Vgs380 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds9200 pF V @ 25
安装类型螺丝
宽度25.42mm
封装类型SOT-227B
尺寸38.23 x 25.42 x 9.6mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散700000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压1000 V
最大漏源电阻值0.24 Ω
最大连续漏极电流36 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双源、单
长度38.23mm
高度9.6mm
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