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IXFH7N80 IXYS Corporation MOSFET 7 Amps 800V RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | IXYS MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD 详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH) 型号:IXFH7N80 仓库库存编号:IXFH7N80-ND | 无铅 |
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数据列表 | IXF(H,M)7N80 |
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产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HiPerFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.4 欧姆 @ 3.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 2.5mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2800pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 180W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AD |