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产品信息
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??片 MOSFET驱动器 半桥 8SOIC
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器件类型:
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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模块配置:
高压侧
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输出电流 峰值:
600mA
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电源电压最小值:
10V
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电源电压最大值:
20V
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封装类型:
SOIC
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针脚数:
8
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输入延迟:
750ns
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输出延时:
200ns
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
125°C
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MSL:
MSL 2 - 1年
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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偏移电压:
600V
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功耗, Pd:
6250mW
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器件标号:
2109
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封装/箱盒:
SOIC
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工作温度范围:
-40°C 至 +125°C
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最大输出电流:
250mA
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电源电压范围:
10V 至 20V
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表面安装器件:
SMD
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输出数:
1
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输出电压:
620V
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输出电压 最大:
20V
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输出电压 最小:
10V
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输出电流:
120mA
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输出电流 + 最大:
120mA
产地:
US
United States
询价