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![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP 详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.5A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6) 型号:IRLMS4502TR 仓库库存编号:IRLMS4502CT-ND 别名:IRLMS4502 <br>IRLMS4502-ND <br>IRLMS4502CT <br> | 含铅 |
数据列表 | IRLMS4502 |
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产品相片 | IRF5800TRPBF |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 42 毫欧 @ 5.5A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 33nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1820pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) |
供应商器件封装 | Micro6?(TSOP-6) |