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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRLMS1503PBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N MICRO-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N MICRO-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N MICRO-6
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 3.2A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 100mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
- 功耗, Pd: 1.7W
- 封装类型: μSOIC
- 针脚数: 6
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: 2B
- 外宽: 3.00mm
- 外部深度: 3.00mm
- 外部长度/高度: 1.45mm
- 封装/箱盒: Micro6
- 时间, trr 典型值: 36ns
- 晶体管数: 1
- 栅极电荷 Qg N沟道: 6.4nC
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 3.2A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds: 30V
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 电压变化率 dv/dt: 5V/ns
- 电容值, Ciss 典型值: 210pF
- 电流, Idm 脉冲: 18A
- 电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值: 39nC
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
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