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| 型号/制造商 |
| IRLML6302TRPBF Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
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| 型号/制造商 |
| IRLML6302TRPBF Infineon Technologies AG MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| IRLML6302TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant 搜索 |
| IRLML6302TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant 搜索 |
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| IRLML6302TRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant 搜索 |
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| IRLML6302TRPBF Infineon Technologies AG Transistor: P-MOSFET, unipolar, logic level, -20V, -0.78A, 0.54W
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| 型号/制造商 |
| IRLML6302TR International Rectifier MOSFET Transistor, P-Channel, SOT-23
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| IRLML6302T International Rectifier | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 详细描述：表面贴装 P 沟道 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23 型号：IRLML6302TRPBF 仓库库存编号：IRLML6302PBFCT-ND 别名：*IRLML6302TRPBF <br>IRLML6302PBFCT <br> |  |
 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23 型号：IRLML6302TR 仓库库存编号：IRLML6302CT-ND 别名：*IRLML6302TR <br>IRLML6302 <br>IRLML6302-ND <br>IRLML6302CT <br> | |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | IRLML6302T International Rectifier | 晶体管,MOSFET,IRLML6303TR 暂无PDF 查看详细 |
 | IRLML6302TR International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 查看详细 |
| IRLML6302TRPBF International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 查看详细 |
| IRLML6302TRPB International Rectifier | ER - -20V SINGLE P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A MICRO 3 PACKAGE 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： International Rectifier
描述： 晶体管,MOSFET,IRLML6303TR
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.4 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 97 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 540 mW | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.6 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 0.78 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm |