IRLML6302PBF,IRLML6302PBF|INTERNATIONAL RECTIFIER代理分销-IRLML6302PBF全新原装货

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IRLML6302TRPBF
Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

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MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

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IRLML6302PBF
Infineon Technologies AG

MOSFET, P, LOGIC, SOT-23

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Infineon Technologies AG

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IRLML6302PBF
International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 540 mW

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IRLML6302PBF
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Transistor: P-MOSFET, unipolar, logic level, -20V, -0.62A, 0.54W

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
IRLML6302PBF	9103406	INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V (EN)
IRLML6302PBF	9103406RL	INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V (EN)

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产品描述 / 参考图片

制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302PBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
IRLML6302PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
610-6851

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参考图片	制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号	PDF
	IR MOSFET P, -20 V -0.62 A 540 mW SOT-23, IRLML6302PBF, IR 型号：IRLML6302PBF 仓库库存编号：171-39-694

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	IRLML6302PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	场效应管 MOSFET P 逻辑电平 SOT-23 查看详细

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制造商型号： IRLML6302PBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET P 逻辑电平 SOT-23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

场效应管 MOSFET P 逻辑电平 SOT-23
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 600mA
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS（上）: 600mohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: -1.5V
功耗, Pd: 400mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最??值: 150°C
封装类型: SOT-23
针脚数: 3
MSL: (暂无信息)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: 1C
功耗, Pd: 400mW
功耗, Pd: 400mW
器件标记: IRLML6302
外宽: 3.05mm
外部深度: 2.5mm
外部长度/高度: 1.12mm
封装/箱盒: SOT-23
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
带子宽度: 8mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: -780mA
电压 Vgs @ Rds on 测量: -4.5V
电压, Vds 典型值: -20V
电压, Vgs 最高: -12V
电流, Idm 脉冲: 34A
阈值电压, Vgs th 最高: -1.4V

产地： US United States

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